Pe 13 octombrie, piața bursieră din Coreea a trăit o „marți neagră”.
KOSPI a scăzut brusc cu 5,46%, Samsung Electronics a pierdut 7,39%, SK Hynix a scăzut cu peste 10%, iar investitorii străini au vândut net 45,3 trilioane de woni într-o singură zi, declanșând mecanismul de întrerupere a vânzărilor.
Declanșatorul nu a fost războiul, nici Rezerva Federală, ci o veste venită din China.
Președintele ChangXin Memory, Cao Kanyu, a anunțat: arhitectura 4F² a înregistrat progrese cheie, iar până la sfârșitul anului va lansa un nou produs DDR5 RDIMM care combină această arhitectură cu tehnologia de legare hibridă.
Ce este 4F²? De ce sunt coreenii atât de speriați?
Arhitectura dominantă în industria DRAM este în prezent 6F². F reprezintă cea mai mică lățime a liniei realizabilă prin litografie. 6F² înseamnă că fiecare celulă de stocare ocupă o suprafață egală cu pătratul a 6 ori dimensiunea caracteristică minimă. 4F² reduce această suprafață la 4 ori — adică o reducere a suprafeței celulei cu 33%, permițând plasarea cu 50% mai multor celule pe aceeași suprafață.
Dar nu este doar o simplă „micșorare”. Trecerea de la 6F² la 4F² reprezintă o schimbare fundamentală, deoarece canalul tranzistorului trece de la o dispunere orizontală la una verticală. Designul și procesul din era 6F² nu pot fi reutilizate; întregul proces trebuie integrat de la zero.
Arma principală a ChangXin se numește VSG.
Vertical Surrounded Gate — tranzistor cu canal vertical înconjurat. Poarta înconjoară canalul vertical pe patru părți, maximizând controlul porții și rezolvând direct problemele critice ale miniaturizării DRAM, cum ar fi scurgerile de curent și efectul canalului scurt.
ChangXin nu a luat această cale întâmplător. De la înființare, a început cercetarea și protejarea prin brevete a arhitecturii 4F², având peste 300 de familii de brevete publice, depășind alte companii interne și internaționale. A publicat lucrări în 2021 și a continuat în 2023 și 2025. În 2025, a realizat pentru prima dată o validare experimentală a legării la nivel de plachetă între DRAM și CMOS pe platforma de 12 inch la IEDM.
Samsung și SK Hynix nu pot face asta?
Ei au studiat deja această tehnologie. Au rezerve tehnice.
Samsung a identificat deja cipuri funcționale cu arhitectura 4F² pe nodul de proces 10a, dar planifică producția în masă abia în 2028. SK Hynix a anunțat anul trecut în Japonia foaia de parcurs pentru tehnologia 4F², dar nu a dezvăluit niciun plan de producție în masă.
Un insider din industria semiconductorilor din Coreea a spus: „Samsung și SK Hynix dețin tehnologia 4F², dar din cauza costurilor nu au aplicat-o în produse de serie.”
De ce sunt costurile atât de fatale?
Arhitectura 6F² a adus profituri mari mulți ani. Prețul DRAM a explodat începând cu a doua jumătate a anului 2025; în primul trimestru din 2026, prețul contractelor pentru DRAM standard a crescut cu 55%-60% față de trimestrul anterior, iar prețurile spot au crescut cumulativ cu peste 300%.
Profitul din 6F² este foarte mare. Trecerea la 4F² implică modificarea liniilor de producție, reconfigurarea echipamentelor și suportarea unei scăderi a producției în perioada de ajustare a randamentului. Într-un superciclu al memoriei, niciun producător coreean nu vrea să sacrifice profitul curent pentru „avans tehnologic”.
Coreea nu nu poate face 4F², ci nu îndrăznește să o facă.
Motivul pentru care ChangXin îndrăznește este tocmai că nu are prea multe de pierdut pe masa de joc 6F².
Procesul principal al ChangXin este în jur de 16 nanometri și se confruntă cu limitări în accesul la echipamentele de litografie EUV. Pe pista arhitecturii 6F², a urmărit „raportul calitate-preț” ani de zile, reducând diferența, dar plafonul este clar.
Mai bine să schimbi pista decât să alergi pe pista altora.
ChangXin a ales să intre forțat în 4F² în perioada de creștere explozivă a prețurilor memoriei și a deschiderii spațiului de profit, schimbând tehnologia în piață. Prima generație de produse vizează direct DDR5 RDIMM pentru servere — piața centrelor de date și a segmentului enterprise, cu cele mai mari profituri și cele mai ridicate bariere.
Publicarea tehnologiei nu înseamnă succes în producția de masă. Randamentul, fiabilitatea pe termen lung, comportamentul ECC, consumul de energie, validarea platformei — acestea sunt adevăratele obstacole pentru produsele de nivel server. Analiștii coreeni subliniază că ChangXin trebuie să depășească trei mari provocări: randamentul, performanța și certificarea clienților, iar limitările echipamentelor EUV sunt o constrângere reală.
Dar piața a votat cu bani reali. KOSPI a scăzut cu 5,46%, investitorii străini au retras 45 de trilioane de woni într-o zi; aceasta nu este o reacție la „o singură veste”, ci o lichidare anticipată a „posibilei redistribuiri a puterii de stabilire a prețurilor viitoare”.
Samsung și SK Hynix păstrează profiturile din 6F², așteptând „un moment mai sigur”.
ChangXin nu are un moment sigur de așteptat.
Coreea nu nu poate face 4F², ci nu îndrăznește să o facă. ChangXin îndrăznește pentru că nu are prea multe de pierdut pe masa de joc 6F².
Această „șarpantă” a intrat deja în apă. Sistemul oligopolistic de stabilire a prețurilor pentru cipurile de memorie simte pentru prima dată căldura reală a unui „următor de rangul doi”.
$SNDK$SAMSUNG$CXMT #CoreeaBursăScădereRapidăUrmataDeRecuperare, poate continua cumpărarea de semiconductori?
Declinarea responsabilității: conținutul OKX Orbit este furnizat doar în scopuri informative. Aflați mai multe
Răspunsuri
Încă nu există niciun comentariu. Fiți primul care răspunde!
