في 13 أكتوبر، شهد سوق الأسهم الكوري "الثلاثاء الأسود".
انخفض مؤشر KOSPI بنسبة 5.46٪، وتراجعت أسهم سامسونج إلكترونيكس بنسبة 7.39٪، وانخفضت أسهم SK هايليكس بأكثر من 10٪، وبيعت الأسهم الأجنبية بصافي 4.53 تريليون وون كوري في يوم واحد، مما أدى مباشرة إلى تفعيل آلية إيقاف البيع.
المُسبب ليس الحرب، ولا الاحتياطي الفيدرالي، بل خبر قادم من الصين.
أعلن رئيس شركة تشانغشين للتخزين، تساو كانيو، عن تحقيق تقدم حاسم في بنية 4F²، مع إطلاق منتج DDR5 RDIMM الجديد الذي يدمج هذه البنية وتقنية الربط المختلط بحلول نهاية العام.
ما هي 4F²؟ ولماذا خاف الكوريون بهذا الشكل؟
البنية السائدة حالياً في صناعة DRAM هي 6F². حيث تمثل F أدنى عرض خط يمكن تحقيقه بواسطة الطباعة الضوئية. تعني 6F² أن كل وحدة تخزين تشغل مساحة تعادل 6 أضعاف مربع أصغر ميزة. أما 4F² فتخفضها إلى 4 أضعاف — أي تقليل مساحة الوحدة بنسبة 33٪، مما يسمح بوضع 50٪ وحدات تخزين إضافية في نفس المساحة.
لكن الأمر ليس مجرد "تصغير" بسيط. الانتقال من 6F² إلى 4F² هو تحول جذري في تصميم القناة الترانزستورية من وضع أفقي إلى وضع عمودي قائم. تصميم وعمليات 6F² لا يمكن إعادة استخدامها، ويجب دمج عملية جديدة بالكامل من الصفر.
السلاح الأساسي لتشانغشين يُدعى VSG.
البوابة المحيطة العمودية — ترانزستور قناة محاط من أربع جهات، مما يعزز التحكم في البوابة ويحل مباشرة مشكلتي التسرب الكهربائي وتأثير القناة القصيرة، وهما العقبتان الرئيسيتان في تصغير DRAM.
تشانغشين لم تبدأ هذا الطريق عشوائياً. منذ تأسيسها بدأت البحث وتسجيل براءات اختراع في 4F²، مع أكثر من 300 براءة اختراع منشورة، متقدمة على الشركات المحلية والعالمية. نشرت أوراقاً بحثية في 2021، وتابعت في 2023 و2025. وفي 2025، حققت أول تحقق تجريبي لربط رقائق DRAM وCMOS على رقاقة 12 بوصة في مؤتمر IEDM.
هل سامسونج وSK هايليكس غير قادرين على ذلك؟
لقد بحثوا في الأمر منذ زمن.
سامسونج حددت رقائق عاملة ببنية 4F² على عقدة تصنيع 10a، لكن جدول الإنتاج الضخم مؤجل حتى 2028. SK هايليكس أعلنت خارطة طريق تقنية 4F² في اليابان العام الماضي، لكنها لم تكشف عن أي خطة إنتاج حتى الآن.
قال أحد المطلعين في صناعة أشباه الموصلات الكورية: "سامسونج وSK هايليكس يمتلكان تقنية 4F²، لكنهما لم يطبقاها في الإنتاج الضخم بسبب تكاليفها".
لماذا تكاليفها قاتلة لهذه الدرجة؟
بنية 6F² جنت أرباحاً طائلة لسنوات. أسعار DRAM ارتفعت بشكل حاد منذ النصف الثاني من 2025، وارتفعت عقود DRAM العادية بنسبة 55%-60% في الربع الأول من 2026 مقارنة بالربع السابق، مع زيادة تراكمية في الأسعار الفورية بأكثر من 300%.
أرباح 6F² ضخمة جداً. التحول إلى 4F² يعني إعادة تجهيز خطوط الإنتاج، إعادة تهيئة المعدات، وتحمل فترة انخفاض الإنتاج بسبب تحسين الجودة. في دورة تخزين فائقة، لا يرغب أي مصنع كوري في التضحية بأرباحه الحالية من أجل "التفوق التقني".
الكوريون ليسوا غير قادرين على صنع 4F²، بل يخشون القيام بذلك.
سبب جرأة تشانغشين هو أنها لا تملك الكثير لتخسره على طاولة 6F².
تقنيتها السائدة حالياً حوالي 16 نانومتر، وتواجه قيوداً في الحصول على معدات الطباعة الضوئية EUV. في مضمار 6F²، تنافس بـ"التكلفة مقابل الأداء" لسنوات، والفجوة تتقلص، لكن السقف واضح.
بدلاً من الركض في مضمار الآخرين، اختارت تشانغشين مضماراً جديداً.
اختارت تشانغشين اقتحام 4F² في فترة ارتفاع أسعار التخزين وفتح هوامش الربح، لتبادل التقنية بالسوق. المنتج الأول يستهدف مباشرة DDR5 RDIMM على مستوى الخوادم — سوق مراكز البيانات والمؤسسات، الأعلى ربحية والأعلى عتبة.
الإعلان عن التقنية لا يعني نجاح الإنتاج الضخم. الجودة، الموثوقية طويلة الأمد، سلوك ECC، استهلاك الطاقة، والتحقق من المنصة — هذه هي الحواجز الحقيقية لمنتجات الخوادم. أشار محللون كوريون إلى أن تشانغشين لا تزال بحاجة لتجاوز ثلاث حواجز: الجودة، الأداء، واعتماد العملاء، كما أن قيود معدات EUV تمثل قيداً حقيقياً.
لكن السوق صوت بأموال حقيقية. انخفض KOSPI بنسبة 5.46٪، وهربت الاستثمارات الأجنبية 4.5 تريليون وون في يوم واحد، وهذا ليس رد فعل على "خبر واحد"، بل تصفية مبكرة لـ"إعادة توزيع محتملة لسلطة التسعير المستقبلية".
سامسونج وSK هايليكس يحرسون أرباح 6F² وينتظرون "الوقت الأكثر أماناً".
تشانغشين لا تملك وقتاً آمناً للانتظار.
الكوريون ليسوا غير قادرين على صنع 4F²، بل يخشون القيام بذلك. تشانغشين تجرؤ لأن ليس لديها الكثير لتخسره على طاولة 6F².
هذه السمكة القطية دخلت الماء بالفعل. نظام تسعير قلة شركات شرائح التخزين شعر لأول مرة بحرارة "المطارد الثاني" الحقيقية.
$SNDK$SAMSUNG$CXMT #تراجع_سوق_كوريا_ثم_تقلص_الارتداد، هل يمكن أن تستمر مشتريات أشباه الموصلات؟
إخلاء المسؤولية: يُقدَّم محتوى OKX Orbit لأغراض إرشادية فقط. اعرف المزيد